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SEM掃描電鏡檢測(cè)因其高分辨率、大景深和直觀(guān)的微觀(guān)形貌呈現(xiàn)能力，成為材料、生物、地質(zhì)等領(lǐng)域關(guān)鍵的分析工具。但對(duì)于初學(xué)者而言，從送樣到獲取可靠圖像，每一步都需嚴(yán)謹(jǐn)對(duì)待。本文簡(jiǎn)要梳理SEM檢測(cè)全流程關(guān)鍵要點(diǎn)。第一步：樣品制備——成敗在此一舉。導(dǎo)電性良好的金屬樣品可直接觀(guān)察；但非導(dǎo)電樣品(如陶瓷、塑料、生物組織)必須進(jìn)行表面導(dǎo)電處理，常用方法包括噴金(Au/Pd)、噴碳或使用低真空模式。若忽略此步，將出現(xiàn)嚴(yán)重“荷電效應(yīng)”——圖像漂移、條紋或亮度異常。此外，樣品需牢固固定于樣品臺(tái)，避...

ZEISS場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡是材料科學(xué)、納米技術(shù)、半導(dǎo)體分析等領(lǐng)域觀(guān)測(cè)微納結(jié)構(gòu)(如原子排列、納米顆粒形貌)的核心工具。ZEISS場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡以高分辨率、高穩(wěn)定性和智能操作著稱(chēng)。但面對(duì)復(fù)雜的技術(shù)參數(shù)，選購(gòu)時(shí)掌握以下4點(diǎn)原則，可輕松匹配需求。一、分辨率：分辨率是衡量電鏡成像清晰度的關(guān)鍵參數(shù)，直接影響能否觀(guān)察到納米級(jí)細(xì)節(jié)(如單個(gè)原子的排列、納米線(xiàn)的截面結(jié)構(gòu))。ZEISS場(chǎng)發(fā)射電鏡的分辨率通常分為“點(diǎn)分辨率”(理論較小可分辨兩點(diǎn)間距)和“實(shí)際成像分辨率”(實(shí)際樣品成像的清晰度)。對(duì)于常...

國(guó)產(chǎn)環(huán)境箱是材料性能測(cè)試、產(chǎn)品可靠性驗(yàn)證的核心設(shè)備，其測(cè)量精度(如溫度偏差≤±0.5℃、濕度偏差≤±2%RH)直接影響測(cè)試數(shù)據(jù)的可靠性。對(duì)于專(zhuān)業(yè)用戶(hù)而言，掌握幾大操作秘籍，能有效提升環(huán)境箱的測(cè)量精度，讓設(shè)備發(fā)揮更大價(jià)值。一、校準(zhǔn)先行：環(huán)境箱的傳感器(溫度、濕度、壓力等)會(huì)隨時(shí)間漂移或受環(huán)境影響產(chǎn)生誤差。專(zhuān)家建議每3-6個(gè)月使用標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量設(shè)備(如鉑電阻溫度計(jì)、精密露點(diǎn)儀)對(duì)箱內(nèi)參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)，校準(zhǔn)點(diǎn)需覆蓋常用測(cè)試范圍(如溫度-40℃至85℃、濕度30%R...

LONGPEAK靜電放電發(fā)生器是模擬靜電放電場(chǎng)景、考核電子電氣產(chǎn)品抗靜電性能的關(guān)鍵設(shè)備，廣泛用于家電、汽車(chē)電子、通信設(shè)備等領(lǐng)域的EMC測(cè)試。操作中若存在誤區(qū)，易導(dǎo)致測(cè)試數(shù)據(jù)失真、設(shè)備損壞，甚至引發(fā)安全隱患。以下梳理4類(lèi)常見(jiàn)誤區(qū)及對(duì)應(yīng)避免方法。?一、誤區(qū)一：忽視放電槍校準(zhǔn)，直接開(kāi)展測(cè)試?部分用戶(hù)認(rèn)為“新設(shè)備無(wú)需校準(zhǔn)”，或長(zhǎng)期不校準(zhǔn)放電槍?zhuān)苯佑闷溥M(jìn)行測(cè)試。LONGPEAK靜電放電發(fā)生器的放電槍電極易因磨損、污染導(dǎo)致放電電流偏差，若不校準(zhǔn)，可能將合格產(chǎn)品誤判為不合格，或遺漏真實(shí)抗...

掃描電鏡測(cè)試數(shù)據(jù)蘊(yùn)含著豐富的微觀(guān)結(jié)構(gòu)信息，對(duì)其進(jìn)行定量分析在科研領(lǐng)域有著至關(guān)重要的意義。在定量分析方面，首先是對(duì)圖像中特征尺寸的測(cè)量。通過(guò)專(zhuān)業(yè)的圖像分析軟件，可以精準(zhǔn)地量取材料微觀(guān)結(jié)構(gòu)的粒徑大小、孔隙直徑等關(guān)鍵尺寸參數(shù)。例如在納米材料研究中，準(zhǔn)確知曉納米顆粒的直徑分布范圍，能為評(píng)估其性能及進(jìn)一步改進(jìn)制備工藝提供依據(jù)。同時(shí)，對(duì)于晶界、相界等界面的距離測(cè)量也很重要，有助于了解材料的結(jié)晶特性以及不同相之間的相互作用情況。另外，對(duì)元素成分的定量分析也是重要一環(huán)。結(jié)合能譜儀等附件所獲取...

在半導(dǎo)體器件制造與質(zhì)量檢測(cè)過(guò)程中，閂鎖效應(yīng)(Latch-up)測(cè)試是一項(xiàng)至關(guān)重要的可靠性評(píng)估項(xiàng)目。由于CMOS等工藝結(jié)構(gòu)的固有特性，芯片在受到特定電壓、電流或輻射干擾時(shí)可能引發(fā)寄生雙極晶體管導(dǎo)通，導(dǎo)致器件損壞。為預(yù)防此類(lèi)風(fēng)險(xiǎn)，半導(dǎo)體閂鎖測(cè)試儀被廣泛用于評(píng)估集成電路對(duì)閂鎖效應(yīng)的抗擾能力。掌握其基本操作流程，是確保測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確、設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的前提。一、測(cè)試前準(zhǔn)備1.確認(rèn)測(cè)試樣品狀態(tài)檢查待測(cè)芯片是否完好無(wú)損，引腳無(wú)彎曲、氧化或短路現(xiàn)象。同時(shí)查閱芯片規(guī)格書(shū)，明確其供電電壓范圍、較大工...